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IRF5210STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF5210STRLPBF
Código Farnell1298529
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,190 € |
| 10+ | 1,380 € |
| 100+ | 1,300 € |
| 500+ | 1,230 € |
| 1000+ | 1,150 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF5210STRLPBF
Código Farnell1298529
También conocido comoSP001554020
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id38A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.06ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia3.8W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
38A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.06ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRF5210STRLPBF
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00143