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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF520NPBF
Código Farnell9103031
También conocido comoSP001571310
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,685 € |
10+ | 0,674 € |
100+ | 0,382 € |
500+ | 0,346 € |
1000+ | 0,325 € |
5000+ | 0,318 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF520NPBF
Código Farnell9103031
También conocido comoSP001571310
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id9.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.2ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia47W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF520NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia en estado conductor extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápida. Esta ventaja, en combinación con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto de los MOSFETs de potencia HEXFET, ofrece al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para usar en una gran variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Totalmente certificado para avalancha
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
9.7A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
47W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.2ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002041