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IRF4905STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF4905STRLPBF
Código Farnell1298511
También conocido comoSP001559632
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,430 € |
| 10+ | 2,260 € |
| 100+ | 1,580 € |
| 500+ | 1,360 € |
| 1000+ | 1,120 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF4905STRLPBF
Código Farnell1298511
También conocido comoSP001559632
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id74A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.02ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF4905STRLPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
74A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.02ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00143
Trazabilidad del producto