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IRF3205ZLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF3205ZLPBF
Código Farnell2579973
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564660
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 100+ | 1,140 € |
| 500+ | 0,922 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF3205ZLPBF
Código Farnell2579973
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001564660
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id110A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0065ohm
Encapsulado del TransistorTO-262
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia170W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Resumen del producto
IRF3205ZLPBF is a HEXFET® Power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This feature combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Fast switching, repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Drain-to-source breakdown voltage is 55V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 4.9mohm (typ, VGS = 10V, ID = 66A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA (max, VDS = 55V, VGS = 0, TJ = 25°C)
- Gate-to-source charge is 21nC (typ, VDS = 44V, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 18ns (typ, VDD = 28, TJ = 25°C)
- Fall time is 67ns (typ, VGS = 10V, TJ = 25°C)
- Reverse recovery time is 28ns (typ, TJ = 25°C, IF = 66A, VDD = 25V)
- TO-262 package, operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
110A
Encapsulado del Transistor
TO-262
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001225