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IRF3205PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF3205PBF
Código Farnell1704017
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001559536
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,290 € |
| 10+ | 1,020 € |
| 100+ | 0,758 € |
| 500+ | 0,648 € |
| 1000+ | 0,586 € |
| 5000+ | 0,525 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF3205PBF
Código Farnell1704017
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001559536
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id110A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.008ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF3205PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Advanced HEXFET® power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Fast switching
- ±20V gate-source voltage
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
110A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.008ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRF3205PBF
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00204
Trazabilidad del producto