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IRF2804STRL7PP
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 160 A, 0.0016 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,230 € |
| 10+ | 2,800 € |
| 100+ | 1,990 € |
| 500+ | 1,930 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF2804STRL7PP
Código Farnell2725882
Rango de ProductoHEXFET
También conocido comoSP001564218
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id160A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0016ohm
Encapsulado del TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia330W
Número de pines7Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRF2804STRL7PP
Se ha encontrado 1 producto
Resumen del producto
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard surface-mount power package
- Higher current-rating (by 23%) vs D2PAK (of same die-size)
- High-current carrying capability package (up to 240A, die-size dependent)
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
160A
Encapsulado del Transistor
TO-263AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0016ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
7Pins
Gama de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001