Imprimir página
IRF1404ZPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF1404ZPBF
Código Farnell8657394
También conocido comoSP001574476
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,600 € |
| 10+ | 1,040 € |
| 100+ | 0,742 € |
| 500+ | 0,699 € |
| 1000+ | 0,669 € |
| 5000+ | 0,628 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,60 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIRF1404ZPBF
Código Farnell8657394
También conocido comoSP001574476
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id190A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3700µohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia220W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF1404ZPBF is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- 175°C Operating temperature
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
190A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
220W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3700µohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IRF1404ZPBF
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001814