Imprimir página
IQE006NE2LM5CGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Montaje Superficial
4499 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,190 € |
| 500+ | 0,855 € |
| 1000+ | 0,726 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 1
124,00 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIQE006NE2LM5CGATMA1
Código Farnell3577362RL
Rango de ProductoOptiMOS 5
También conocido comoIQE006NE2LM5CG, SP003321480
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)25V
Corriente de Drenaje Continua Id298A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0005ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)500µohm
Encapsulado del TransistorTTFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.6V
Disipación de Potencia89W
Disipación de Potencia Pd89W
Número de pines9Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
25V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0005ohm
Encapsulado del Transistor
TTFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
89W
Número de pines
9Pins
Gama de Producto
OptiMOS 5
Estándar de Certificación para Automoción
-
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
298A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
500µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.6V
Disipación de Potencia Pd
89W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00143
Trazabilidad del producto