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IPT015N10N5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,560 € |
| 10+ | 3,290 € |
| 100+ | 2,590 € |
| 500+ | 2,200 € |
| 1000+ | 2,130 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPT015N10N5ATMA1
Código Farnell2725874
Rango de ProductoOptiMOS 5
También conocido comoIPT015N10N5, SP001227040
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id300A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0013ohm
Encapsulado del TransistorHSOF
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia375W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- 100V OptiMOS™ 5 power transistor
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectifier
- Excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
300A
Encapsulado del Transistor
HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IPT015N10N5ATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto