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IPT012N08N5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 6,740 € |
| 50+ | 4,590 € |
| 100+ | 3,940 € |
| 500+ | 3,930 € |
| 1000+ | 3,500 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPT012N08N5ATMA1
Código Farnell2617417
Rango de ProductoOptiMOS 5
También conocido comoIPT012N08N5, SP001227054
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id300A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1200µohm
Encapsulado del TransistorPG-HSOF
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia375W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
IPT012N08N5ATMA1 is a 80V, 400A OptiMOSTM 5power-transistor in 8 pin HSOF package. Ideal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on) of 1.2mohm
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
300A
Encapsulado del Transistor
PG-HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1200µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000953
Trazabilidad del producto