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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1
Código Farnell2725859
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPLU300N04S4-R8, SP001063102
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 5,270 € |
10+ | 4,330 € |
100+ | 3,510 € |
500+ | 3,050 € |
1000+ | 2,870 € |
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Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1
Código Farnell2725859
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPLU300N04S4-R8, SP001063102
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id300A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor530µohm
Encapsulado del TransistorH-PSOF-8-1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia429W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™-T2 power-transistor
- N-channel enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- Ultra-low Rds(on)
- 100% avalanche tested
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
300A
Encapsulado del Transistor
H-PSOF-8-1
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
429W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
530µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS T2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto