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IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 90 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD90N04S4L04ATMA1
Código Farnell2781088
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPD90N04S4L-04, SP000646188
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 10+ | 0,469 € |
| 100+ | 0,461 € |
| 500+ | 0,453 € |
| 1000+ | 0,418 € |
| 5000+ | 0,339 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD90N04S4L04ATMA1
Código Farnell2781088
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPD90N04S4L-04, SP000646188
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id90A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0032ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia71W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
90A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
71W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0032ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
OptiMOS T2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para IPD90N04S4L04ATMA1
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000426
Trazabilidad del producto