IPD80R3K3P7ATMA1

Los MOSFETs de potencia de canal N CoolMOS™ P7 de 800V de Infineon son MOSFETs altamente eficientes con la mejor resistencia RDS(on) y el mejor encapsulado de su clase. Estos MOSFETs establecen una nueva referencia de eficiencia y rendimiento térmico. Las familias de productos CoolMOS™ P7 de 800V se han desarrollado para aplicaciones SMPS de baja potencia basadas en flyback que incluyen adaptadores y cargadores, iluminación, audio SMPS, potencia industrial y AUX. Diseñado para resolver los desafíos típicos de diversas aplicaciones al proporcionar la mejor relación precio/rendimiento de su clase con excelente facilidad de uso, lo que los hace una opción perfecta para aplicaciones de destino. Esta familia de productos ofrece una ganancia de eficiencia del 0,1% al 0,6% y temperatura de MOSFET inferior de 2°C a 8°C en comparación con los CoolMOS™ C3 de 800V probados en aplicaciones basadas en flyback. Este rendimiento óptimo en su clase resulta de una combinación de varios parámetros optimizados como reducción de más del 50% de las pérdidas por conmutación (Eoss) y carga de puerta (Qg) así como reducción de capacitancia de entrada (Ciss) y capacitancia de salida (Coss).

• Mejor FOM de su clase / RDS(on) * Eoss (pérdidas por conmutación)
• Mejor DPAK RDS(on) de su clase de 280mohm
• Diseños de densidad de potencia superior que permiten ahorrar en materiales y costes de montaje
• Mejor V(GS) de su clase de 3V y variación V(GS) más pequeña de ±0,5V
• Fácil de controlar y diseñar
• Protección ESD de diodo zener integrado de clase 1C (HBM), clase 2 (HBM), clase C3 (CDM)
• Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos asociados con ESD
• Mejor calidad y fiabilidad de su clase
• Gama totalmente optimizada, piezas fáciles de seleccionar para personalización precisa de diseños
• Facilidad de uso como característica intrínseca de diseño de esta familia de productos