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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD80R280P7ATMA1
Código Farnell2750415RL
Rango de ProductoCoolMOS P7
También conocido comoIPD80R280P7, SP001422596
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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100+ | 1,510 € |
500+ | 1,310 € |
1000+ | 1,300 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD80R280P7ATMA1
Código Farnell2750415RL
Rango de ProductoCoolMOS P7
También conocido comoIPD80R280P7, SP001422596
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)800V
Corriente de Drenaje Continua Id17A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.28ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia101W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
800V CoolMOS™ P7 power transistor. Recommended for hard and soft switching flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, audio, AUX power and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer applications and solar.
- Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
- Best-in-class DPAK RDS(on)
- Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
- Integrated Zener diode ESD protection
- Best-in-class CoolMOS™ quality and reliability
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Fully optimized portfolio
- Best-in-class performance, easy to drive and to parallel
- Better production yield by reducing ESD related failures
- Less production issues and reduced field returns
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
17A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
101W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
800V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.28ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000426
Trazabilidad del producto