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IPD60N10S4L12ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD60N10S4L12ATMA1
Código Farnell2725850RL
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPD60N10S4L-12, SP000866550
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,631 € |
| 500+ | 0,589 € |
| 1000+ | 0,567 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD60N10S4L12ATMA1
Código Farnell2725850RL
Rango de ProductoOptiMOS T2
También conocido comoIPD60N10S4L-12, SP000866550
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0098ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.6V
Disipación de Potencia94W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0098ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.6V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
OptiMOS T2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para IPD60N10S4L12ATMA1
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto