Imprimir página
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD50R2K0CEAUMA1
Código Farnell3267615
Rango de ProductoCoolMOS CE
También conocido comoIPD50R2K0CE, SP001396820
Hoja de datos técnicos
516 Productos en Stock
2500 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,408 € |
| 10+ | 0,254 € |
| 100+ | 0,252 € |
| 500+ | 0,201 € |
| 1000+ | 0,177 € |
| 5000+ | 0,138 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,04 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD50R2K0CEAUMA1
Código Farnell3267615
Rango de ProductoCoolMOS CE
También conocido comoIPD50R2K0CE, SP001396820
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)500V
Corriente de Drenaje Continua Id3.6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.8ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)13V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia33W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCoolMOS CE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
3.6A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
13V
Disipación de Potencia
33W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
500V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
CoolMOS CE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004536