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IPD053N08N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD053N08N3GATMA1
Código Farnell1775574
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPD053N08N3 G, SP001127818
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,560 € |
| 10+ | 1,260 € |
| 100+ | 1,050 € |
| 500+ | 0,979 € |
| 1000+ | 0,956 € |
| 5000+ | 0,932 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPD053N08N3GATMA1
Código Farnell1775574
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPD053N08N3 G, SP001127818
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id90A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0053ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia150W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
90A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0053ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
OptiMOS 3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para IPD053N08N3GATMA1
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00042
Trazabilidad del producto