Imprimir página
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPB60R040CFD7ATMA1
Código Farnell3267772
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
También conocido comoIPB60R040CFD7, SP002621056
Hoja de datos técnicos
203 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,900 € |
| 5+ | 6,640 € |
| 10+ | 5,380 € |
| 50+ | 4,670 € |
| 100+ | 3,960 € |
| 250+ | 3,880 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
7,90 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPB60R040CFD7ATMA1
Código Farnell3267772
Rango de ProductoCoolMOS CFD7
También conocido comoIPB60R040CFD7, SP002621056
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id50A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.031ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia227W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCoolMOS CFD7
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
50A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.031ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
CoolMOS CFD7
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004536
Trazabilidad del producto