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IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 45 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPB45N06S4L08ATMA3
Código Farnell3958710RL
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
También conocido comoSP001067954, IPB45N06S4L-08
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIPB45N06S4L08ATMA3
Código Farnell3958710RL
Rango de ProductoOptiMOS-T2 Series
También conocido comoSP001067954, IPB45N06S4L-08
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id45A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.007ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.007ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia71W
Disipación de Potencia Pd71W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS-T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.007ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
71W
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
OptiMOS-T2 Series
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
45A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.007ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Disipación de Potencia Pd
71W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto