Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIAUT240N08S5N019ATMA1
Código Farnell2888478
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
También conocido comoIAUT240N08S5N019, SP001685094
Hoja de datos técnicos
152 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 4,010 € |
10+ | 2,780 € |
100+ | 1,990 € |
500+ | 1,740 € |
1000+ | 1,620 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
4,01 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIAUT240N08S5N019ATMA1
Código Farnell2888478
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
También conocido comoIAUT240N08S5N019, SP001685094
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id240A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0019ohm
Encapsulado del TransistorHSOF
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.8V
Disipación de Potencia230W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 5 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™-5 power-transistor
- N-channel - enhancement mode
- AEC qualified
- Ultra low Rds(on), 100% avalanche tested
- Continuous drain current is 240A (T C=25°C, V GS=10V)
- Avalanche current, single pulse is 240A (T j=25°C)
- Gate source voltage is ±20V (T j=25°C)
- Drain-source on-state resistance is 2.0mohm (typ, GS=6V, I D=60A)
- 80V drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- P/G-HSOF-8-1 package, operating and storage temperature range from -55 to +175°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
240A
Encapsulado del Transistor
HSOF
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
230W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.8V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS 5 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0001
Trazabilidad del producto