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IAUC120N04S6L012ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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| 500+ | 0,632 € |
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| 5000+ | 0,528 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteIAUC120N04S6L012ATMA1
Código Farnell3407337RL
Rango de ProductoOptiMOS 6
También conocido comoIAUC120N04S6L012, SP001790492
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id150A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)960µohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00096ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.6V
Disipación de Potencia115W
Disipación de Potencia Pd115W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 6
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
960µohm
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
115W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS 6
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
150A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00096ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.6V
Disipación de Potencia Pd
115W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0001
Trazabilidad del producto