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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSZ019N03LSATMA1
Código Farnell2443425
Rango de ProductoOptiMOS Series
También conocido comoBSZ019N03LS, SP000792362
Hoja de datos técnicos
3336 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,360 € |
10+ | 0,972 € |
100+ | 0,713 € |
500+ | 0,585 € |
1000+ | 0,526 € |
5000+ | 0,508 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSZ019N03LSATMA1
Código Farnell2443425
Rango de ProductoOptiMOS Series
También conocido comoBSZ019N03LS, SP000792362
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id149A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0019ohm
Encapsulado del TransistorTSDSON-FL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia69W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter(Server,VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
149A
Encapsulado del Transistor
TSDSON-FL
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
69W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BSZ019N03LSATMA1
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto