Imprimir página
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código Farnell1056526
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Hoja de datos técnicos
1.022.848 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,200 € |
| 10+ | 0,0914 € |
| 100+ | 0,0733 € |
| 500+ | 0,0657 € |
| 1000+ | 0,0581 € |
| 5000+ | 0,0448 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
1,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código Farnell1056526
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id170mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor8ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.5V
Disipación de Potencia360mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSIPMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSS84P H6327 de Infineon es un transistor de pequeña señal SIPMOS en modo mejorado de nivel lógico con canal P en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. El dispositivo cuenta con certificación para dv/dt y avalancha.
- Certificación para automoción de grado AEC-Q101
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de -60V
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua (Id) de -170mA
- Disipación de potencia (pd) de 360mW
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 150°C
- Baja resistencia en estado de conducción de 8ohm a Vgs -4,5V
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
170mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
SIPMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BSS84PH6327XTSA2
4 productos encontrados
Productos asociados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000033