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BSS215PH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSS215PH6327XTSA1
Código Farnell2443482RL
También conocido comoBSS215P H6327, SP000928938
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 50+ | 0,205 € |
| 250+ | 0,140 € |
| 1000+ | 0,095 € |
| 5000+ | 0,0763 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSS215PH6327XTSA1
Código Farnell2443482RL
También conocido comoBSS215P H6327, SP000928938
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id1.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.15ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente900mV
Disipación de Potencia500mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- OptiMOS™ P2 small-signal-transistor
- P-channel
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
1.5A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.15ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
900mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000033
Trazabilidad del producto