Imprimir página
BSS169H6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
78.189 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,436 € |
| 50+ | 0,313 € |
| 250+ | 0,242 € |
| 1000+ | 0,140 € |
| 3000+ | 0,119 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,18 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSS169H6327XTSA1
Código Farnell2480647
Rango de ProductoSIPMOS
También conocido comoBSS169 H6327, SP000702572
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id170mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor2.9ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.2V
Disipación de Potencia360mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSIPMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- SIPMOS® N-channel small signal transistor
- Depletion mode
- dv/dot rated
- Qualified according to AEC Q101
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
170mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
2.9ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
SIPMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para BSS169H6327XTSA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto