Imprimir página
6533 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
500+ | 0,728 € |
1000+ | 0,592 € |
5000+ | 0,543 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 500
Múltiplo: 1
369,00 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSP135H6433XTMA1
Código Farnell3227616RL
Rango de ProductoSIPMOS
También conocido comoBSP135 H6433, SP001058592
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id120mA
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)25ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor25ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.4V
Disipación de Potencia Pd1.8W
Disipación de Potencia1.8W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSIPMOS
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternativas para BSP135H6433XTMA1
4 productos encontrados
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
25ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
SIPMOS
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
120mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
25ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.4V
Disipación de Potencia
1.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00039
Trazabilidad del producto