Imprimir página
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC320N20NS3GATMA1
Código Farnell4318812
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5000+ | 0,972 € |
| 15000+ | 0,953 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 5000
Múltiplo: 5000
4.860,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC320N20NS3GATMA1
Código Farnell4318812
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Corriente de Drenaje Continua Id36A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.032ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia125W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
36A
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.032ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000181
Trazabilidad del producto