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BSC150N03LDGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC150N03LDGATMA1
Código Farnell1775471
También conocido comoBSC150N03LD G, SP000359362
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,534 € |
| 10+ | 0,401 € |
| 100+ | 0,329 € |
| 500+ | 0,296 € |
| 1000+ | 0,277 € |
| 5000+ | 0,266 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC150N03LDGATMA1
Código Farnell1775471
También conocido comoBSC150N03LD G, SP000359362
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id20A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0125ohm
Encapsulado del TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia26W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSC150N03LD G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Dual N-channel, logic level
- Fast switching MOSFETs for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- Halogen-free, Green device
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
20A
Encapsulado del Transistor
PG-TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
26W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000154
Trazabilidad del producto