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BSC059N04LS6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 59 A, 0.0047 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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|---|---|
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| 250+ | 0,435 € |
| 1000+ | 0,354 € |
| 3000+ | 0,353 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC059N04LS6ATMA1
Código Farnell3051946RL
Rango de ProductoOptiMOS 6
También conocido comoBSC059N04LS6, SP001687052
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id59A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0047ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0047ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.3V
Disipación de Potencia38W
Disipación de Potencia Pd38W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoOptiMOS 6
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0047ohm
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
38W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
OptiMOS 6
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
59A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0047ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.3V
Disipación de Potencia Pd
38W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000318
Trazabilidad del producto