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BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC030P03NS3GAUMA1
Código Farnell2443466
También conocido comoBSC030P03NS3 G, SP000442470
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,010 € |
| 10+ | 1,470 € |
| 100+ | 1,090 € |
| 500+ | 0,912 € |
| 1000+ | 0,801 € |
| 5000+ | 0,771 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC030P03NS3GAUMA1
Código Farnell2443466
También conocido comoBSC030P03NS3 G, SP000442470
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0023ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia125W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0023ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BSC030P03NS3GAUMA1
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto