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BSC014N04LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC014N04LSATMA1
Código Farnell2450402
También conocido comoBSC014N04LS, SP000871196
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,770 € |
| 50+ | 1,210 € |
| 250+ | 0,813 € |
| 1000+ | 0,592 € |
| 3000+ | 0,580 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC014N04LSATMA1
Código Farnell2450402
También conocido comoBSC014N04LS, SP000871196
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1400µohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia2.5W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSC014N04LS is a N-channel Power MOSFET features not only the industry's lowest RDS (ON) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (ON) and 31% lower figure of merit (RDS (ON) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
- Optimized for synchronous rectification
- Integrated Schottky-like diode
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Halogen-free
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1400µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BSC014N04LSATMA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0002