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DMT61M8SPS-13
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 205 A, 0.0016 ohm, PowerDI5060, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMT61M8SPS-13
Código Farnell3589204RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,790 € |
| 500+ | 2,720 € |
| 1000+ | 2,670 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMT61M8SPS-13
Código Farnell3589204RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id205A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0016ohm
Encapsulado del TransistorPowerDI5060
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia2.7W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMT61M8SPS-13 es un MOSFET de modo mejorado de canal N. Está diseñado para minimizar el RDS(ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para la gestión de energía y la conmutación de carga. Sus aplicaciones típicas incluyen sistemas de gestión del motor, electrónica de control de la carrocería y convertidores CC-CC.
- Prueba de conmutación inductiva 100 % sin sujeción en producción: garantiza una aplicación final más confiable y robusta
- Alta eficiencia de conversión
- RDS(ON) bajo: minimiza las pérdidas de estado
- Baja capacitancia de entrada, velocidad de conmutación rápida
- La tensión drenaje-fuente es de 60 V a TC = +25 °C
- La tensión de puerta a fuente es ±20 V a TC = +25 °C
- La corriente de drenaje continuo es de 205 A a TC=+25 °C, VGS=10 V
- La disipación de potencia total es de 2,7W a TA = +25 °C
- Estuche PowerDI5060-8 (tipo K)
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +150 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
205A
Encapsulado del Transistor
PowerDI5060
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0016ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0002
Trazabilidad del producto