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DMP3098L-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 3.8 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| 50+ | 0,269 € |
| 100+ | 0,188 € |
| 500+ | 0,142 € |
| 1500+ | 0,128 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMP3098L-7
Código Farnell1858616
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id3.8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.8V
Disipación de Potencia1.08W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMP3098L-7 es un MOSFET de modo mejorado de canal P con encapsulado de plástico moldeado y terminales soldables de estaño mate recocido sobre cobre según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado conductor RDS (ON) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
- Baja tensión umbral de puerta
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Baja capacitancia de entrada
- Velocidad de conmutación rápida
- Baja fuga de entrada/salida
- Dispositivo ecológico sin halógenos
- Certificado según los estándares AEC-Q101 para alta fiabilidad
- Sensibilidad a humedad de nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
3.8A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.08W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.8V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008