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DMP2900UT-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMP2900UT-7
Código Farnell3619751RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 500+ | 0,168 € |
| 1000+ | 0,140 € |
| 5000+ | 0,0622 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMP2900UT-7
Código Farnell3619751RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal P
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id500mA
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.4ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.4ohm
Encapsulado del TransistorSOT-523
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia Pd250mW
Disipación de Potencia250mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.4ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-523
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
250mW
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
500mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.4ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Disipación de Potencia
250mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto