DMG3406L-7

El DMG3406L-7 es un MOSFET de modo mejorado de canal N. Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS(ON)) y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Sus aplicaciones típicas incluyen la carga de baterías, funciones de gestión de energía, convertidores CC-CC y adaptadores de corriente portátiles.

• Baja - resistencia, baja capacitancia de entrada
• Velocidad de conmutación rápida, baja fuga de entrada/salida
• La tensión drenaje-fuente es de 30 V a TA = +25 °C
• La tensión de puerta a fuente es ±20 V a TA = +25 °C
• La corriente de drenaje continuo es de 3,6 A a TA=+25 °C, estado estable, VGS=10 V
• La corriente de drenaje pulsada (ancho de pulso ≤ 10 µS, ciclo de trabajo ≤ 1 %) es 30 A a TA=+25 °C
• La corriente directa del cuerpo del diodo máxima es de 1,4 A a TA=+25 °C
• Disipación de potencia de 0,77W
• Caso SOT23
• Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +150 °C

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