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DMG2305UX-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG2305UX-13
Código Farnell2543532RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG2305UX-13
Código Farnell2543532RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id4.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.052ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente900mV
Disipación de Potencia1.4W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMG2305UX-13 es un MOSFET de modo de mejora de canal P en un encapsulado SOT23 de 3 pines. Este MOSFET está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS(on)) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Sus aplicaciones típicas incluyen retroiluminación, funciones de gestión de energía, convertidores CC-CC y controles de motores.
- Tensión drenaje-fuente es de -20 V
- La resistencia de encendido de la fuente de drenaje estática es de 100 mohm como máximo a (VGS = -2,5 V, ID = -3,4 A)
- La tensión de puerta a fuente es ±8 V
- La corriente de drenaje pulsada es de -15 A
- Disipación de potencia de 1,4W
- Rango de temperatura de operación de -55 a +150°C
- Baja resistencia en estado conductor
- Baja capacitancia de entrada
- Velocidad de conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
4.2A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.4W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.052ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
900mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Alternativas para DMG2305UX-13
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000635