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DMG1029SV-7
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1029SV-7
Código Farnell4318483
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 46 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0948 € |
| 9000+ | 0,0938 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
284,40 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1029SV-7
Código Farnell4318483
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P500mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1.3ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1.3ohm
Encapsulado del TransistorSOT-563
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N450mW
Disipación de Potencia Canal P450mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
500mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1.3ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
450mW
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1.3ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia Canal N
450mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005
Trazabilidad del producto