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DMG1029SV-7
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1029SV-7
Código Farnell2543528
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,411 € |
| 50+ | 0,266 € |
| 100+ | 0,166 € |
| 500+ | 0,150 € |
| 1500+ | 0,134 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1029SV-7
Código Farnell2543528
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P360mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1.7ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P4ohm
Encapsulado del TransistorSOT-563
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N450mW
Disipación de Potencia Canal P450mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
360mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
4ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
450mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1.7ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia Canal N
450mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005
Trazabilidad del producto