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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS84W-7-F
Código Farnell1713836RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS84W-7-F
Código Farnell1713836RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id130mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor10ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.6V
Disipación de Potencia200mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS84W-7-F es un FET de modo mejorado de canal P con encapsulado de plástico moldeado y marco de 42 terminales de aleación soldable recocida con estañado mate en conformidad con el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado conductor RDS (ON) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Baja tensión umbral de puerta
- Baja capacitancia de entrada
- Velocidad de conmutación rápida
- Dispositivo ecológico sin halógenos
- Sensibilidad a humedad de nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
130mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
10ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.6V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto