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BSS138Q-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS138Q-7-F
Código Farnell3127245
Hoja de datos técnicos
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| 50+ | 0,0969 € |
| 100+ | 0,0532 € |
| 500+ | 0,0436 € |
| 1500+ | 0,0358 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS138Q-7-F
Código Farnell3127245
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3.5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSS138Q-7-F is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in system/load switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Continuous gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 200mA at TA=+25°C
- Pulsed drain current (10μs pulse duty cycle=1%) is 1A at TA=+25°C
- Power dissipation is 300mW at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 3.5ohm max at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para BSS138Q-7-F
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000005
Trazabilidad del producto