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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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100+ | 0,0504 € |
500+ | 0,0408 € |
1000+ | 0,033 € |
5000+ | 0,0252 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS138-7-F
Código Farnell1843693
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id200mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3.5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS138-7-F es un MOSFET de modo mejorado con canal N de 50V con terminales estañados en mate. Los terminales se pueden soldar según MIL-STD-202, método 208. El encapsulado está hecho de plástico moldeado (UL94V-0). El MOSFET ofrece baja tensión umbral de puerta, velocidad de conmutación rápida y baja capacitancia de entrada.
- Baja resistencia en estado conductor
- Baja fuga de entrada/salida
- Sin halógenos ni antimonio
- Dispositivo ecológico
- Certificado según los estándares AEC-Q101 para alta fiabilidad
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
200mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BSS138-7-F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008