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BSN20-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 500 mA, 1.8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSN20-7
Código Farnell3127240
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id500mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.8ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia600mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BSN20-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 500mA at TA=+25°C, steady state, TSP=+25°C
- Pulsed drain current at TSP=+25°C, TA=+25°C is 1.2A
- Power dissipation at TA=+25°C is 600mW
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm typ at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
500mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
600mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para BSN20-7
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000005
Trazabilidad del producto