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MOSFETs y Módulos de Carburo de Silicio (SiC):
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Configuración de Módulo MOSFET
Tipo de Canal
Corriente de Drenaje Continua Id
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
Encapsulado del Transistor
Número de pines
Tensión de Prueba Rds(on)
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
Disipación de Potencia
Temperatura de Funcionamiento Máx.
Gama de Producto
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| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+ 6,140 € 5+ 5,820 € 10+ 5,500 € 50+ 5,270 € 100+ 4,920 € Más precios... | Mín.: 1 / Múlt.: 1 | Simple | Canal N | 5A | 1.7kV | 1.45ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 20V | 5.5V | 44W | 175°C | G2R Series | |||||
Cada | 1+ 282,180 € 5+ 276,540 € | Mín.: 1 / Múlt.: 1 | Simple | Canal N | 63A | 3.3kV | 0.05ohm | TO-247 | 4Pins | 20V | 3.5V | 536W | 175°C | G2R Series | |||||
