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G2R1000MT17J
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG2R1000MT17J
Código Farnell3598650
Rango de ProductoG2R Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,140 € |
| 5+ | 5,820 € |
| 10+ | 5,500 € |
| 50+ | 5,270 € |
| 100+ | 4,920 € |
| 250+ | 4,710 € |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG2R1000MT17J
Código Farnell3598650
Rango de ProductoG2R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id5A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.7kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.45ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5.5V
Disipación de Potencia44W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoG2R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
G2R1000MT17J is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.45ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.7kV
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
44W
Gama de Producto
G2R Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001393