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G2R50MT33K
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG2R50MT33K
Código Farnell4218058
Rango de ProductoG2R Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteGENESIC
Referencia del fabricanteG2R50MT33K
Código Farnell4218058
Rango de ProductoG2R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id63A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)3.3kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.05ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia536W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoG2R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
63A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.05ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
3.3kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
536W
Gama de Producto
G2R Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Switzerland
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Switzerland
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0062