Imprimir página
95 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 43,590 € |
| 5+ | 39,520 € |
| 10+ | 35,460 € |
| 50+ | 31,390 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
43,59 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
Referencia del fabricanteC3M0021120D
Código Farnell3257419
Rango de ProductoC3M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia469W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoC3M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The C3M0021120D is a 1200V silicon carbide power MOSFET in a 3 pin TO-247 package. The 3rd generation planar MOSFET technology includes a rugged intrinsic body diode which allows for 3rd quadrant operation without the need for an additional external diode.
- Industry-leading 21mΩ RDS(on)
- High-speed switching with low output capacitance
- High blocking voltage with low RDS(on)
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Easy to parallel and simple to drive
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
469W
Gama de Producto
C3M
Documentos técnicos (2)
Alternativas para C3M0021120D
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.012701