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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 85,840 € |
| 5+ | 77,670 € |
| 10+ | 69,490 € |
| 50+ | 68,100 € |
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
Referencia del fabricanteC3M0016120K
Código Farnell3212276
Rango de ProductoC3M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id115A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0223ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.6V
Disipación de Potencia556W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoC3M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
115A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0223ohm
Número de Pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
556W
Gama de Producto
C3M
Documentos técnicos (2)
Alternativas para C3M0016120K
Se ha encontrado 1 producto
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.008673