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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 102,460 € |
| 5+ | 98,770 € |
| 10+ | 95,070 € |
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
Referencia del fabricanteC2M0045170P
Código Farnell2893480
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id72A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.7kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.045ohm
Encapsulado del TransistorTO-247 Plus
Número de Pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.6V
Disipación de Potencia520W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
72A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.045ohm
Número de Pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.7kV
Encapsulado del Transistor
TO-247 Plus
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
520W
Gama de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.005