C2M0025120D
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 89,530 € |
| 5+ | 82,250 € |
| 10+ | 74,970 € |
| 50+ | 73,710 € |
Información del producto
Resumen del producto
El C2M0025120D de Cree es un MOSFET de potencia de carburo de silicio Z-FET de segunda generación con canal N en encapsulado TO-247 de montaje por orificio pasante. Este MOSFET cuenta con tecnología C2M SiC, alta tensión de bloqueo con baja resistencia en estado conductor, conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias, paralelado fácil, control sencillo, robustez de avalancha, resistencia a enclavamiento, con eficiencia de sistema superior, requisitos de refrigeración reducidos y densidad de potencia más alta. Sus aplicaciones incluyen inversores solares, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC de alta tensión y cargadores de baterías.
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de 1,2kV
- Corriente de drenaje continua de 90A
- Disipación de potencia de 463W
- Temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 150°C
- Baja resistencia en estado de conducción de 25mohm a Vgs de 20V
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Simple
90A
0.025ohm
3Pins
2.4V
150°C
-
Canal N
1.2kV
TO-247
20V
463W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para C2M0025120D
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