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WNSC051200Q
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Referencia del fabricanteWNSC051200Q
Código Farnell3586119
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 10+ | 2,850 € |
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Referencia del fabricanteWNSC051200Q
Código Farnell3586119
Hoja de datos técnicos
Gama de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Tensión inversa repetitiva máx.1.2kV
Corriente Directa Promedio5A
Carga Capacitiva Total13nC
Encapsulado del DiodoTO-220AC
Número de pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
-
Tensión inversa repetitiva máx.
1.2kV
Carga Capacitiva Total
13nC
Número de pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
5A
Encapsulado del Diodo
TO-220AC
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0005